SSRAM

奥斯汀半导体公司

256K ×18 SSRAM

同步突发SRAM ，

流通

特点

快速存取时间： 8 ， 10 ，和为15ns

快速的时钟速度： 113 ， 100 ，和66兆赫

快速时钟和OE \\访问时间

单+ 3.3V + 0.3V / -0.165V电源（V

DD

)

在间歇模式来减少功耗待机

常见的数据输入和数据输出

单个字节WRTIE控制和全局写

三个芯片使简单的深度扩展和地址

流水线

时钟控制和注册地址，数据I / O和

控制信号的

Interally自定时写周期

突发控制引脚（交错或线性突发）

自动断电

低电容总线负载

工作温度范围：

- 军事-55

o

C至+ 125

o

C

- 工业-40

o

C至+ 85

o

C

NC

NC

NC

V

DD

Q

V

SS

NC

NC

DQB

DQB

V

SS

V

DD

Q

DQB

DQB

V

SS

V

DD

NC

V

SS

DQB

DQB

V

DD

Q

V

SS

DQB

DQB

DQPb

NC

V

SS

V

DD

Q

NC

NC

NC

AS5SS256K18

引脚分配

（ TOP VIEW ）

100引脚TQFP

SA

SA

CE \\

CE2

NC

NC

BWB \\

BWA \\

CE2\

V

DD

V

SS

CLK

GW \\

BWE \\

OE \\

ADSC \\

ADSP \\

ADV \\

SA

SA

选项

时机

7.5ns /为8ns / 113 MHz的

8.5ns / 10ns的/ 100 MHz的

为10ns / 15ns的/ 66 MHz的

包

100引脚TQFP

工作温度范围：

- 军事-55

o

C至+ 125

o

C

- 工业-45

o

C至+ 85

o

C

*可作为只。

记号

-8*

-9

-10

DQ

IT

XT

1001号

1 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

8

0

2

7

9

3

7

8

4

7

7

5

7

6

6

7

5

7

7

4

8

7

3

9

7

2

1

0

7

1

1

1

7

0

1

2

6

9

1

3

6

8

1

4

6

7

1

5

6

6

1

6

6

5

1

7

6

4

1

8

6

3

1

9

6

2

2

0

6

1

2

1

6

0

2

2

5

9

2

3

5

8

2

4

5

7

2

5

5

6

2

6

5

5

2

7

5

4

2

8

5

3

2

9

5

2

3

0

5

1

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

模式

SA

SA

SA

SA

SA1

SA0

DNU

DNU

V

SS

V

DD

NF **

NF **

SA

SA

SA

SA

SA

SA

SA

SA

NC

NC

V

DD

Q

V

SS

NC

DQPa

DQA

DQA

V

SS

V

DD

Q

DQA

DQA

V

SS

NC

V

DD

ZZ

DQA

DQA

V

DD

Q

V

SS

DQA

DQA

NC

NC

V

SS

V

DD

Q

NC

NC

NC

**销42,43保留用于未来的扩展地址为8Mb的， 16Mb的密度。

欲了解更多产品信息

请访问我们的网站：

www.austinsemiconductor.com

概述

奥斯汀半导体公司的同步突发SRAM系列

采用高速，低功耗的CMOS设计，是制造美中

荷兰国际集团先进的CMOS工艺。

ASI的4Mb的同步突发静态存储器集成了256K ×18 ， SRAM

核心具有先进的同步外围电路和一个2位的爆

计数器。所有同步输入通过一个控制寄存器

正边沿触发的单时钟输入（CLK） 。同步

输入包括所有地址，所有的数据输入端，低电平有效芯片使能

（ CE \\ ） ，另外两个芯片能够轻松深度扩展（ CE2 \\ ，

AS5SS256K18

2.1版06/05

CE2 ） ，突发控制输入（ ADSC \\ ， ADSP \\ ， ADV \\ ） ，字节写使能

（ BWX \\ ）和全局写（ GW \\ ） 。

异步输入包括输出使能（OE \\） ，时钟（CLK）

和贪睡使能（ ZZ ） 。还有一种突发模式输入（模式），该

交错和线性突发模式之间进行选择。的数据输出（ Q）

通过OE \\启用，也是异步的。写周期可以从1

以2个字节宽，由写控制输入作为控制。

突发的操作可以与任一地址状态处理器启动

（ ADSP \\ ）或地址状态控制器（ ADSC \\ ）输入。随后爆

地址可以被内部产生的脉冲串作为控制AD-

万斯输入（ ADV \\ ） 。

地址和写控制记录片上，以简化写

周期。这使得自定时写周期。单个字节使能

允许单个字节写入。在这个X18写周期

设备BWA \\控制DQA引脚和DQPa ; BWB \\ DQB控制引脚

和DQPb 。 GW \\低导致被写入所有字节。奇偶校验位是

可在此设备上。

ASI的4Mb的同步突发静态存储器从+ 3.3VV操作

DD

电源和所有输入和输出为TTL兼容。 DE-的

副特别适用于486 ，奔腾和PowerPC系统和

那些受益于一个宽的同步数据总线系统。

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

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