添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第791页 > LTST-C195TBTGKT > LTST-C195TBTGKT PDF资料 > LTST-C195TBTGKT PDF资料1第4页
光宝科技股份有限公司
精简版,关于财产只有
在TA电气/光学特性= 25°C
°
参数
符号
分钟。
发光强度
IV
典型值。
马克斯。
视角
2θ1/2
典型值。
LTST-C195TBTGKT
28.0
45.0
绿色
45.0
180.0
单位
测试条件
MCD
如果= 20mA下
注1
130
130
注2 (图6 )
测量
@Peak (图1)
如果= 20mA下
注3
峰值发射波长
λP
典型值。
468
525
nm
主波长
λd
典型值。
470
530
nm
谱线半宽
λ
典型值。
典型值。
马克斯。
25
3.30
3.80
10
17
2.00
2.40
10
nm
正向电压
VF
V
如果= 20mA下
反向电流
IR
马克斯。
A
VR = 5V
电容
C
典型值。
-
40
PF
VF = 0 , F = 1MHZ
注:1.发光强度的测量采用的光传感器和滤波器组合近似于
CIE眼响应曲线。
2.
θ1/2
是离轴角处的发光强度为一半的轴向发光强度。
3.主波长λD从CIE色度图,代表了
单波长,它定义了设备的颜色。
4.注意在ESD :
静电和浪涌损坏LED 。这是推荐使用手腕带或防静电手套
处理LED时。所有器件,设备和机械必须正确接地。
部分
编号: LTST - C195TBTGKT
PAGE :
4
of
11
BNS-OD-C131/A4

深圳市碧威特网络技术有限公司