25LCXXX
3.6
写状态寄存器指令
（ WRSR ）
写保护使能（ WPEN ）位是非易失性
这一点可以作为一个使能位为WP引脚。该
写保护（WP ）引脚和写保护启用
在状态（ WPEN ）位寄存器控制
可编程硬件写保护功能。硬
洁具写保护时启用WP引脚为低电平
和WPEN位为高。硬件写保护
禁用时，无论是WP引脚为高电平或WPEN
位为低。当芯片被硬件写保护，
只有写入非易失位在状态寄存器
被禁用。请参见表5-1功能矩阵
在WPEN位。
参见图3-7为
WRSR
时序。
写状态寄存器指令（ WRSR ）允许
用户要写入到非易失性位在状态
寄存器示于表3-2中。该用户能够
选择4个保护级别之一的数组
写相应的位在状态寄存器。
该阵列被划分成四个部分。用户
有写保护零个，一个能力两个或四个
的阵列的段。该分区是
控制的，如表3-3所示。
表3-3：
BP1
保护阵列
BP0
数组地址
写保护
无
上部1/4
上部1/2
所有
数组地址
无保护
所有
低3/4
低1/2
无
0
0
1
1
表3-4 ：
密度
0
1
0
1
ARRAY受保护的地址位置
上部1/4
上部1/2
200H - 至3FFh
400H - 地址为7FFh
800H - FFFh的
1000H - 1FFFh的
2000H - 3FFFH
4000H - 7FFFH
所有
000H - 至3FFh
000H - 地址为7FFh
000H - FFFh的
0000H - 1FFFh的
0000H - 3FFFH
0000H - 7FFFh表示
8K
16K
32K
64K
128K
256K
图3-7：
CS
0
SCK
1
2
300H - 至3FFh
600H - 地址为7FFh
C00H - FFFh的
1800H - 1FFFh的
3000H - 3FFFH
6000H - 7FFFh表示
写状态寄存器时序分析（ WRSR ）
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
指令
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
数据状态寄存器
5
4
3
2
1
0
高阻抗
SO
注意：
内部写周期（T
WC
）是一个有效的写状态寄存器后，启动了CS的上升沿
序列。
2009年Microchip的科技公司
初步
DS22131C第13页
