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25AA128/25LC128
2.6
写状态寄存器（ WRSR ）
只有写入非易失位在状态寄存器
被禁用。请参阅表2-4功能矩阵
在WPEN位。
参见图2-7为
WRSR
时序。
写状态寄存器（ WRSR ）指令允许
用户写入的非易失性位在稳压状态
存器中的表2-2所示。用户能够选择
四个级别的保护对数组的写1
到合适的位状态寄存器。该
阵列被划分成四个部分。用户具有
能够写保护无，一个，两个或四个的
阵列的段。分区被控制为
如表2-3所示。
写保护使能（ WPEN ）位是非易失性
这一点可以作为一个使能位为WP引脚。该
写保护（WP ）引脚和写保护启用
在状态（ WPEN ）位寄存器控制
可编程硬件写保护功能。硬
洁具写保护时启用WP引脚为低电平
和WPEN位为高。硬件写保护
禁用时，无论是WP引脚为高电平或WPEN
位为低。当芯片被硬件写保护，
表2-3 ：
BP1
保护阵列
BP0
数组地址
写保护
无
上部1/4
(3000h-3FFFh)
上部1/2
(2000h-3FFFh)
所有
(0000h-3FFFh)
0
0
1
1
0
1
0
1
图2-7：
CS
写状态寄存器时序分析（ WRSR ）
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
指令
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
数据状态寄存器
5
4
3
2
1
0
高阻抗
SO
注意：
内部写周期（T
WC
）是一个有效的写状态寄存器后，启动了CS的上升沿
2009年Microchip的科技公司
DS21831D第11页
