TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M - 通用型6引脚光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 16毫安
I
F
= 10毫安的
MOC8100M,
I
F
= 16毫安;为
TIL117M
I
R
反向漏电流V
R
= 3.0V
V
R
= 6.0V
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射极暗
当前
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
I
F
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 5V ，T
A
= 25°C
V
CE
= 30V ，我
F
= 0, T
A
= 70°C
I
CBO
I
CBO
C
CE
集电极 - 基极暗
当前
电容
V
CB
= 10V
V
CB
= 5V
V
CE
= 0V ， F = 1MHz的
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C–70°C
T
A
= -55°C
T
A
= +100°C
TIL111M ， TIL117M
MOC8100M
所有
所有
所有
TIL111M ， TIL117M
TIL111M ， TIL117M
MOC8100M
TIL117M,
MOC8100M
TIL111M ， TIL117M
MOC8100M
所有
8
30
70
7
7
TIL111M
MOC8100M,
TIL117M
1.2
1.2
1.32
1.10
0.001
0.001
100
120
10
10
1
0.5
0.2
50
25
50
20
10
10
10
A
A
V
V
V
V
nA
nA
A
nA
nA
pF
1.4
1.4
V
参数
测试条件
设备
分钟。 （典型值） *最大。单位
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
I
首席执行官
*在T所有典型值
A
= 25°C
2005仙童半导体公司
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
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