4.6.3
读/写命令NVM
读/写NVM命令必须作为一个DSI长的命令结构。采取的是MMA81XXTKEG无操作/
MMA82XXTKEG如果该命令被发送到DSI全局装置地址。
表4-12读写NVM命令结构
数据
D7
RA3
D6
RA2
D5
RA1
D4
RA0
D3
RD3
D2
RD2
D1
RD1
D0
RD0
A3
A3
地址
A2
A2
A1
A1
A0
A0
C3
1
命令
CRC
C2
0
C1
0
C0
1
0到8位
表4-13较长的响应结构 - 读/写命令的NVM （非易失= 1 ）
数据
CRC
D15
A3
D14
A2
D13
A1
D12
A0
D11
RA3
D10
RA2
D9
RA1
D8
RA0
D7
1
D6
1
D5
B1
D4
B0
D3
RD3
D2
RD2
D1
RD1
D0
RD0
0到8位
表4-14较长的响应结构 - 读/写命令的NVM （非易失= 0 ）
数据
CRC
D15
A3
D14
A2
D13
A1
D12
A0
D11
0
D10
0
D9
0
D8
0
D7
1
D6
1
D5
1
D4
1
D3
A3
D2
A2
D1
A1
D0
A0
0到8位
没有如果读/写NVM命令是DSI简短的命令结构中接收到的响应。
（ - RA0 RA3 ）和银行选择（ B1 ， B0 ）位OTP数据由字段，其中一个字段是寄存器地址相结合的访问。
银行选择位的初始化或反初始化命令中指定。各个位预先定义的功能
（高四位DEVCFG2的）各自具有它们自己的字段的地址。剩余的OTP数据被分组为4位字段。
场地址如图
表4-15 。
对OTP阵列结果的数据结构被编程在16位的基团。 DEVCFG1和DEVCFG2是在同一
组。作为一个结果，在初始化或反向初始化分配非零装置地址将被永久
编程到OTP阵列时内两个设备配置字节的任何字段进行编程。
为了避免编写一个非零的设备地址，确保设备地址0初始化或反向期间分配
在DEVCFG1 DEVCFG2或编程其他任何位（S ）之前初始化。
当执行读/写NVM命令后的NV位过程中被设置发生OTP编程操作
前面的初始化或反初始化命令。
在编程OTP阵列的最小DSI总线空闲电压必须大于14 V 。
当执行此命令，而NV位被清零时， DSI器件地址将被不分的状态返回
寄存器地址和银行选择位。读寄存器数据命令（描述于
4.6.5节）
可被用来访问
全方位的客户可访问数据。
MMA81XXTKEG
26
传感器
飞思卡尔半导体公司
