IS42S83200D ， IS42S16160D
IS45S83200D ， IS45S16160D
突发读/写单
突发读/写单模式通过编程输入
写突发模式位（ M9 ）在模式寄存器逻辑
1.在这种模式下，所有的写命令产生的访问
单个列位置（脉冲串1的），无论
编程的突发长度。读取命令的访问
根据编程的突发长度的列和
sequence, just as in the normal mode of operation (M9
= 0).
SDRAM的支持并发自动预充电。
四种情况下，并发自动预充电
会发生下面的定义。
阅读与自动预充电
1.通过read（带或不带自动预充电）中断：
先读取银行并购将中断READ银行N，
CAS后的等待时间。预充电到n行会
当读取到银行并购登记开始。
2.打断写（带或不带自动预充电） ：
在写银行并购将中断对银行N A READ
注册的时候。 DQM应采用3个时钟之前
写命令，以防止总线争用。该
预充电到n行开始的时候写
银行并购被注册。
并发自动预充电
访问命令（读或写）到另一家银行
而与自动预充电使能的访问指令是
执行不被容许的SDRAM中，除SDRAM
支持并发自动预充电。
ISSI
阅读自动预充电中断通过读
T0
CLK
命令
n行
NOP
阅读 - AP
n行
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
NOP
阅读 - AP
银行并购
NOP
NOP
NOP
NOP
活动页面
READ中的4脉冲串
中断突发，预充电
t
RP - n行
空闲
t
RP - 银行并购
预充电
内部状态
银行并购
地址
DQ
CAS延迟 - 3 （ n行）
活动页面
n行，
柱A
n行，
COL B
READ中的4脉冲串
D
OUT
a
D
OUT
a+1
D
OUT
b
D
OUT
b+1
不关心
CAS延迟 - 3 （银行并购）
阅读自动预充电中断一个写
T0
CLK
命令
n行
阅读 - AP
n行
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
NOP
NOP
NOP
写 - AP
银行并购
NOP
NOP
NOP
空闲
t
DPL - 银行并购
回写
READ中的4脉冲串
中断突发，预充电
t
RP - n行
内部状态
活动页面
银行并购
地址
DQM
DQ
CAS延迟 - 3 （ n行）
D
OUT
a
D
IN
b
n行，
柱A
活动页面
银行并购，
COL B
写为4突发
D
IN
b+1
D
IN
b+2
D
IN
b+3
不关心
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版本B
06/11/09
49
