TSKS5400
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ，
950纳米，砷化镓
180
120
100
80
60
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90
100
21322
R
thJA
= 270 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 270 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21321
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半灵敏度角
峰值波长
光谱带宽
上升时间
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A，T
p
/T = 0.01, t
p
≤
10 s
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
≤
20毫秒
I
R
= 10 A
I
F
= 100毫安
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
≤
20毫秒
I
F
= 50毫安，T
p
≤
20毫秒
I
F
= 50毫安
符号
V
F
V
R
TK
VF
C
j
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
t
r
t
r
2
6
- 1.3
30
4.5
10
- 0.8
± 30
950
50
800
450
7
分钟。
典型值。
1.3
马克斯。
1.7
单位
V
V
毫伏/ K
pF
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
ns
ns
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
94 7996
1.5
1.4
I
F
= 10毫安
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 前进
电压
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-45 -30 -15
0
1
2
3
4
14347
0
15
30 45 60 75 90
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 3 - 脉冲正向电流与正向电压
图。 4 - 正向电压与环境温度
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文档编号： 83780
修订版2.3 ， 05 ， 09月08
