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PIC16F688
2.2.2.1
状态寄存器
STATUS寄存器，寄存器2-1所示，包括：
ALU的算术运算状态
复位状态
银行选择位数据存储器（ SRAM ）
STATUS寄存器可以是目的地的任何
指令，像任何其他寄存器。如果STATUS
寄存器作为目标的影响的指令
的Z， DC或C位，那么写这三位是
禁用。这些位是根据设置或清除
器件的逻辑。此外，TO和PD位是不可
可写。同的指令，因此，其结果
状态寄存器作为目标可能会比不同
意。
例如，
CLRF STATUS
将清零高3
位，并将Z位。这将使状态寄存器
as
‘000u u1uu’
（其中
u
=不变） 。
建议的，因此，只
BCF ， BSF ，
SWAPF
和
MOVWF
指令来改变
状态寄存器，因为这些指令不
影响任何状态位。关于其他不
影响状态位（见
第12.0节
“指令集汇总” ） 。
注1 ：
C和DC位的借位
和半借位，分别在
减法。
寄存器2-1：
R/W-0
IRP
第7位
图例：
R =可读位
上电复位时-n =价值
第7位
状态：状态寄存器
R/W-0
RP1
R/W-0
RP0
R-1
TO
R-1
PD
R / W -X
Z
R / W -X
DC
(1)
R / W -X
C
(1)
位0
W =可写位
' 1 ' =置
U =未实现位，读为'0'
' 0 ' =清零
X =未知
IRP ：
寄存器组选择位（用于间接寻址）
1
银行= 2 ， 3 （ 100H - 1FFh的）
0
银行= 0 ， 1 （ 00H - FFH ）
RP<1 ： 0> ：
寄存器组选择位（用于直接寻址）
00
=银行0 （ 00H至7Fh ）
01
银行= 1 （ 80H - FFH ）
10
银行= 2 （ 100H - 17Fh ）
11
银行= 3 （ 180H - 1FFh的）
要：
超时位
1
=上电后，
CLRWDT
指令或
睡觉
指令
0
=发生了WDT超时
PD ：
掉电位
1
=在上电或由
CLRWDT
指令
0
=执行的
睡觉
指令
Z:
零位
1
=算术或逻辑运算的结果为零
0
=算术或逻辑运算的结果不为零
DC ：
半进位/借位（ ADDWF ，
ADDLW ， SUBLW ， SUBWF
说明）
(1)
1
=运算出结果的第4低位发生
0
=未发生进结果的第4低位
C:
进位/借位
(1)
（ ADDWF ，
ADDLW ， SUBLW ， SUBWF
说明）
(1)
1
=运算出结果的最高位发生
0
=未发生进结果的最高位发生
对于借位，极性是相反的。减法是通过加上2的补码的第二操作数来执行的。
对于移位（ RRF ，
RLF ）
说明，此位装有无论是高阶或源寄存器的低位。
位6-5
4位
第3位
第2位
第1位
位0
注1 ：
2009年Microchip的科技公司
DS41203E第13页
