恩智浦半导体
PESD5V0L1BSF
双向低电容ESD保护二极管
7.应用信息
该PESD5V0L1BSF被设计为一个数据或信号线从所述保护
引起的静电放电和/或其它浪涌脉冲的损坏。该装置可以在线路中使用
其中信号极性是两个，正和负相对于地面。
它提供保护，防止浪涌具有高达35W的每行。
线被保护
PESD5V0L1BSF
GND
018aaa060
图10.应用图
电路板布局和保护装置的位置
电路板布局的ESD和电气快速的抑制关键
瞬变（EFT ） 。该建议遵循以下原则：
1.将元件尽可能靠近输入端子或连接器尽可能
2.装置和保护线路之间的路径长度应当最小化
3.避免在无保护导体并联运行的保护导体
4.最小化所有的印刷电路板（ PCB）的导电回路包括电源和
接地环路
5.最小瞬时返回路径的长度与地
6.避免使用共享短暂的返回路径到公共接地点
7.接地平面应尽可能使用。对于多层PCB ，使用地面
过孔。
PESD5V0L1BSF
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第1版 - 2011年2月18日
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