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用户可以高性能或更低的电流消耗，通过选择之间进行选择
或者128位或64位的访问。它还管理着编程，擦除，锁定和解锁
使用完整的命令集的闪存序列。
其中一个命令返回，通知系统中的嵌入式闪存描述符的定义
关于闪存的组织，从而使软件通用的。
该SAM3U4 （ 256千字节的内部Flash版本）内嵌了两个EEFC （ EEFC0的PSP上，并
EEFC1的Flash1的），而SAM3U2 / 1嵌入1 EEFC 。
9.1.3.4
锁定区域
在
SAM3U4
（ 256千字节的内部Flash版本）两个增强型嵌入式闪存控制器
各管理16锁定位以保护闪光灯，防止意外擦除或32个地区
编程命令。
该
SAM3U4
（ 256千字节的内部Flash版本）包含32个锁定区域，每个区域锁定
包含32页的256个字节。每个锁区有8 KB的大小。
该
SAM3U2
（ 128千字节的内部Flash版本）增强型内置Flash控制器MAN-
16岁锁定位以保护闪光灯，防止意外擦除或32个地区
编程命令。
该
SAM3U2
（ 128千字节的内部Flash版本）包含16锁定区域，每个区域锁定
包含32页的256个字节。每个锁区有8 KB的大小。
该
SAM3U1(64
千字节的内部Flash版本）嵌入式闪存控制器管理8位锁
为了保护闪光灯，防止意外擦除或编程命令的8个区域。
该
SAM3U1(64
千字节的内部Flash版本）包含8个锁定区域，每个区域锁定
包含32页的256个字节。每个锁区有8 KB的大小。
如果出现锁定区域的擦除或编程命令时，命令被中止， EEFC
触发中断。
锁定位可以通过EEFC用户界面软件编程。命令“设置
锁定位“启用保护。命令“清除锁定位”解锁锁定区域。
将ERASE拉高将清除锁定位，从而解锁整个Flash 。
9.1.3.5
安全位功能
该SAM3U有一个安全位，基于特定的通用NVM位（ GPNVM位
0）。当启用了安全性，任何访问闪存， SRAM ，内核寄存器和内部
外设无论是通过ICE接口或快速Flash编程接口，是
禁止的。这保证了在闪存编程的代码的保密性。
这个安全位只能启用，通过命令“设置通用NVM位0 ”的
该EEFC用户界面。禁止安全位只能通过断言来实现
ERASE引脚为1，并且之后进行一个完整的Flash擦除。当安全位被停用，
所有访问到Flash ， SRAM ，内核寄存器和内部外设无论是通过ICE
接口或通过快速Flash编程接口允许。
值得注意的是， ERASE引脚的断言应始终小于200毫秒长是很重要的。
由于ERASE引脚集成了一个永久的下拉，就可以在正常悬空
操作。但是，它是更安全的将其直接连接到GND为最终的应用程序。
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SAM3U系列
6430CS–ATARM–09-Apr-10
