TFDU7100
威世半导体
I / O和软件
在描述中，已经不同的I / O是men-
tioned 。不同的组合进行测试，并在
功能验证并提供了特殊的驱动程序
从I / O的供应商。在特殊情况下指的是I /
o手动，威世的应用笔记，或接触
Vishay的直接销售，营销或应用程序。
之后TXD启用正常TXD输入
收发信机被设置为高带宽（ 576千比特/
s到4兆比特/秒）模式。
设置为较低的带宽模式
（2.4 kbit / s至115.2千位/秒）
1.将SD输入逻辑"HIGH" 。
2.将TXD输入逻辑"LOW" 。等待吨
s
> 200纳秒。
3.将SD逻辑"LOW" （此下降沿锁存器
TXD ，这就决定了速度设定）的状态。
4. TXD要追究吨
h
> 200纳秒。
之后TXD启用正常TXD输入
收发信机被设置为较低带宽（ 9.6 kbit / s的
115.2 kbit / s的）模式。
模式切换
该TFDU7100在SIR模式下接通电源后为
默认模式，因此FIR数据传输速率
已经通过使用一个编程序列设定
下面介绍TXD和SD输入为。低频
昆西模式涵盖了速度高达115.2 kbit / s的。显
的NAL具有更高的数据速率应在被检测
高频模式。频率较低的数据也可以
在高频模式，但与接收
敏感性降低。
要切换的低频模式收发器
高频模式，反之亦然，亲
如下所述编程序列是必需的。
在SD -脉冲持续时间进行编程应该是
限制为最多5微秒的避免了反
ceiver进入睡眠模式。
SD
50 %
t
s
TXD
50 %
t
h
高： FIR
50 %
低： SIR
设置为高带宽模式
（ 0.576兆比特/秒至4.0兆比特/秒）
1.将SD输入逻辑"HIGH" 。
2.将TXD输入逻辑"HIGH" 。等待吨
s
> 200纳秒。
3.将SD逻辑"LOW" （此下降沿锁存器
TXD ，这就决定了速度设定）的状态。
4.在等待吨
h
> 200纳秒的TXD可以被设置为逻辑
"LOW" 。 TXD的保持时间由马克西不限
妈妈允许脉冲长度。
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图3.模式切换时序图
表2中。
真值表
输入
SD
高
低
低
x
低
低
TXD
x
高
高
> 100微秒
低
低
低
光输入辐射毫瓦/米
2
x
x
x
>指定RC灵敏度（ RC-
协议）
<4
在角>最小照度
范围（IRDA ）
在角<最大辐射
范围（IRDA ）
在角>最大辐射
范围（IRDA ）
RXD
弱上拉
（ 500 kΩ到V
CC1
)
低电平有效（回声）
高
x
高
低（有效）
输出
发射机
0
I
e
0
0
0
0
备注
RC- RXD
x
x
x
低电平有效（信封）
x
x
低
低
x
0
x
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文档编号84773
修订版1.1 ， 9月27 06
