飞思卡尔半导体公司
功耗基准测试
;
寄存器的地址BIU
M_BCR EQU $ FFFFFB ;总线控制寄存器
M_DCR EQU $ FFFFFA ; DRAM控制寄存器
M_AAR0 EQU $ FFFFF9 ;地址属性寄存器
M_AAR1 EQU $ FFFFF8 ;地址属性寄存器
M_AAR2 EQU $ FFFFF7 ;地址属性寄存器
M_AAR3 EQU $ FFFFF6 ;地址属性寄存器
M_IDR EQU $ FFFFF5 ; ID寄存器
;
总线控制寄存器
0
1
2
3
飞思卡尔半导体公司...
M_BA0W EQU $ 1F
;区0等待控制面膜（ BA0W0 - BA0W4 ）
M_BA1W EQU $ 3E0
; 1区等待控制面膜（ BA1W0 - BA14 ）
M_BA2W EQU $ 1C00 ; 2区等待控制面膜（ BA2W0 - BA2W2 ）
M_BA3W EQU $ E000 ; 3区等待控制面膜（ BA3W0 - BA3W3 ）
M_BDFW EQU $ 1F0000 ;缺省区域等待控制面膜（ BDFW0 - BDFW4 ）
M_BBS EQU 21
;总线状态
M_BLH EQU 22
;总线锁定保持
M_BRH EQU 23
;总线请求保留
;
DRAM控制寄存器
M_BCW EQU 3美元
;在页面等待状态的位掩码（ BCW0 - BCW1 ）
M_BRW EQU $ C
;占网页等待状态的位掩码（ BRW0 - BRW1 ）
M_BPS EQU 300美元
; DRAM页面大小位掩码（ BPS0 - BPS1 ）
M_BPLE EQU 11
;页面逻辑启用
M_BME EQU 12
;主控权启用
M_BRE EQU 13
;刷新启用
M_BSTR EQU 14
;软件触发刷新
M_BRF EQU $ 7F8000 ;刷新率位掩码（ BRF0 - BRF7 ）
M_BRP EQU 23
;刷新预分频器
;
地址属性寄存器
M_BAT EQU 3美元
;外部的访问类型和引脚定义位掩码（ BAT0 - BAT1 ）
M_BAAP EQU 2
;地址属性引脚极性
M_BPEN EQU 3
;节目空间启用
M_BXEN EQU 4
; X数据空间启用
M_BYEN EQU 5
; Y数据空间启用
M_BAM EQU 6
;地址木星
M_BPAC EQU 7
;包装启用
M_BNC EQU $ F00
;地址位的数量比较面膜（ BNC0 - BNC3 ）
M_BAC EQU $ FFF000 ;地址比较位掩码（ BAC0 - BAC11 ）
;
SR中的控制和状态位
M_CP EQU $ C00000 ;掩盖在SR CORE -DMA优先级位
M_CA EQU 0
;携带
M_V EQU 1
;溢出
M_Z EQU 2
;零
M_N EQU 3
;负
M_U EQU 4
;非标准化
M_E EQU 5
;延期
M_L EQU 6
;极限
M_S EQU 7
;缩放位
M_I0 EQU 8
; INTERUPT屏蔽位0
M_I1 EQU 9
; INTERUPT屏蔽位1
M_S0 EQU 10
;缩放模式位0
M_S1 EQU 11
;扩展模式位1
M_SC EQU 13
; Sixteen_Bit兼容性
M_DM EQU 14
;双精度乘法
M_LF EQU 15
; DO-循环标志
M_FV EQU 16
; DO-永远的旗帜
M_SA EQU 17
;十六位算术
M_CE EQU 19
;指令缓存使能
M_SM EQU 20
;算术饱和
M_RM EQU 21
;舍入模式
M_CP0 EQU22
;位在SR优先级位0
M_CP1 EQU 23
;位在SR优先级位1
;
在OMR控制和状态位
M_CDP EQU 300美元;掩盖在OMR CORE -DMA优先级位
M_MA EQU 0
;操作模式
M_MB EQU 1
;经营模式B
M_MC EQU 2
;经营模式C
M_MD EQU 3
;经营模式D
M_EBD EQU 4
;在OMR外部总线禁止位
M_SD EQU 6
;停止延时
A-11
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