GBU8A THRU GBU8M

威世通用半导体

100

1000

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

正向电流（A ）

10

1

结电容（pF ）

100

0.1

T

J

= 25 °C

脉冲

宽度

= 300

s

1 ％占空比

50 - 400

V

600 - 1000

V

10

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图3.典型正向特性每二极管

图5.典型结电容每二极管

1000

100

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

瞬时反向电流（ μA ）

T

J

= 150 °C

100

10

10

T

J

= 125 °C

1

50 - 400

V

600 - 1000

V

1

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0

20

40

60

80

100

0.1

0.01

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

吨 - 加热时间（s ）

图4.典型的反向漏电特性每二极管

图每二极管6.典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

案件类型GBU

0.880 (22.3)

0.860 (21.8)

0.125 (3.2) x 45°

倒角

0.160 (4.1)

0.140 (3.5)

0.140 (3.56)

0.130 (3.30)

9 ° TYP 。

0.020 R（ TYP 。 ）

0.310 (7.9)

0.290 (7.4)

0.740 (18.8)

0.720 (18.3)

0.080 (2.03)

0.060 (1.52)

5 ° TYP 。

0.710 (18.0)

0.690 (17.5)

0.085 (2.16)

0.075 (1.90)

0.085 (2.16)

0.065 (1.65)

0.075

(1.9) R

.

0.100 (2.54)

0.085 (2.16)

0.050 (1.27)

0.040 (1.02)

0.080 (2.03)

0.065 (1.65)

0.190 (4.83)

0.210 (5.33)

0.022 (0.56)

0.018 (0.46)

在案件的正面显示极性，正极引线

通过斜面

角落

文档编号： 88616

修订： 21 -JAN- 08

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