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PD - 96323
汽车MOSFET
AUIRFR2607Z
HEXFET
功率MOSFET
D
特点
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
75V
17.6m
22m
45A
k
42A
R
DS （ ON）
典型值。
G
S
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这种设计的附加特征是一个175 ℃的
结的工作温度，快速开关速度和
改进型重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使这个设计非常高效，
为在汽车应用和各种用途可靠设备
各种其它应用。
D- PAK
AUIRFR2607Z
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值
门
漏
来源
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格不implied.Exposure绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
45
32
42
180
110
0.72
± 20
96
96
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
k
A
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
V
GS
栅极 - 源极电压
E
AS
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
E
AS
（测试）
单脉冲雪崩能量测试值
I
AR
雪崩电流
E
AR
重复性雪崩能量
T
J
工作结
T
英镑
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
参数
R
θJC
结到外壳
R
θJA
结到环境（印刷电路板安装）
R
θJA
结到环境
h
d
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
g
y
y
j
i
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.38
50
110
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
08/24/10
