汽车级
PD - 95962
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
G
S
D
HEXFET
功率MOSFET
AUIRF1010EZ
AUIRF1010EZS
AUIRF1010EZL
60V
8.5m
84A
75A
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现每个硅极低的导通电阻
区。这种设计的附加功能是175 ° C的结
工作温度，快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车应用和各种其他应用程序
阳离子。
D
G
D
S
TO-220AB
AUIRF1010EZ
G
2
PAK
D
AUIRF1010EZS
D
S
S
D
G
TO-262
AUIRF1010EZL
绝对最大额定值
G
门
D
漏
S
来源
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规格不implied.Exposure
绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
I
DM
漏电流脉冲
P
D
@T
C
= 25°C最大功率耗散
线性降额因子
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
马克斯。
84
60
75
340
140
0.90
± 20
99
180
看到图12a ， 12b中， 15,16
-55 + 175
单位
A
c
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
c
i
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300
10磅在（ 1.1N m）的
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
k
参数
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.11
–––
62
40
单位
° C / W
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
结到环境（ PCB安装，稳态）
j
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
03/23/10
