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SUP90N15-18P
Vishay Siliconix公司
典型特征
100
25 ℃，除非另有说明
500
450
80
包装有限公司
I
D
- 漏电流（ A）
功率（W）的
60
400
350
300
250
200
150
40
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
J
- 温度（℃ ）
电流降额* ，结至外壳
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
功率降额* ，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?69935 。
文档编号： 69935
S- 80181 -REV 。 A， 04 -FEB -08
www.vishay.com
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