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SUP90N08-7m7P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
6000
10
I
D
= 50 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
4500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
8
V
DS
= 30
V
V
DS
= 60
V
6
V
DS
= 15
V
3000
4
1500
C
OSS
C
RSS
0
15
30
45
60
75
2
0
0
0
20
40
60
80
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
电容
2.0
I
D
= 20 A
1.7
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
GS
= 10
V
（归一化）
1.4
I
S
- 源电流（ A）
10
100
栅极电荷
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
1
1.1
0.1
T
J
= - 55 °C
0.8
0.01
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
0.7
92
源极 - 漏极二极管正向电压
0.2
V
BR （ DSS ）
（归一化）
88
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
方差
(V)
- 0.3
I
D
= 1毫安
- 0.8
I
D
= 250
A
- 1.3
84
80
- 1.8
- 2.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
76
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 结温（ ° C）
阈值电压
导通电阻与结温
www.vishay.com
4
文档编号： 68638
S- 81048 -REV 。 A， 12 08年5月
