NTD5407N
典型性能曲线
60
I
D,
漏电流（安培）
50
5.5 V
40
5V
30
4.5 V
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
4V
3.5 V
0
0
V
GS
= 7 V至10 V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
6V
60
V
DS
≥
10 V
50
40
30
20
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
3
5
6
7
1
2
4
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
8
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 38 A
T
J
= 25°C
0.105
0.095
0.085
0.075
0.065
0.055
0.045
0.035
0.025
0.015
0.005
10
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
15
20
25
30
35
40
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
2
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 175°C
100
10
T
J
= 100°C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
5
10
15
20
25
30
35
40
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
