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IRFB17N50L ， SiHFB17N50L
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
0.56
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.9 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 9.9 A
b
500
-
3.0
-
-
-
-
11
-
0.6
-
-
-
-
0.28
-
-
-
5.0
± 100
50
2.0
0.32
-
V
V /°C的
V
nA
A
mA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
I
D
= 16 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
-
-
2760
325
37
3690
84
159
-
-
-
21
51
50
28
-
-
-
-
-
-
130
33
59
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
-
-
-
V
DD
= 250 V，I
D
= 16 A,
R
G
= 7.5
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
170
220
470
810
7.3
16
A
64
1.5
250
330
710
1210
11
V
ns
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 16 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
-
-
-
体二极管反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
Q
rr
I
RRM
t
on
nC
A
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91098
S- 81263 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
