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ISL12027 ， ISL12027A
表4.数字微调寄存器
DTR注册
DTR2
0
0
0
0
1
1
1
1
DTR1
0
1
0
1
0
1
0
1
DTR0
0
0
1
1
0
0
1
1
估计频率
PPM
0
+10
+20
+30
0
-10
-20
-30
VTS2
0
0
0
0
1
VTS1
0
0
1
1
0
表5 。
VTS0
0
1
0
1
0
V
RESET
4.64V
4.38V
3.09V
2.92V
2.63V
在电池模式下，复位信号输出低电平
当VDD电源电压已经跌破了V
RESET
阈值，但在RESET信号输出将不会返回到HIGH
直到该设备是回V
DD
模式，即使在V
DD
电压
上述V
RESET
门槛。
PWR注册： SBIB ， BSW ， VTS2 ， VTS1 ， VTS0
SBIB ：串行总线接口（使能）
串行总线可以通过禁用在电池备份模式
这个位设定为“1” 。这将最大限度地减少对电力消耗
电池。该串行接口可在电池中启用
通过设置此位备份模式为“0” （缺省为“0”） 。看
“电源控制操作”，第15页和“RESET”上
第9页。
设备操作
写入数据到时钟/控制寄存器
改变任何时钟/控制寄存器的位
需要以下步骤：
1.写02H状态寄存器来设置写使能
锁存器（ WEL ） 。这是一个易失性的操作，所以不存在
写后延迟。 （操作之前有一个起点和
用止动端） 。
2.写06H到状态寄存器来设置两个注册
写使能锁存器（ RWEL ）和WEL位。这也是
一个动荡周期。在数据字节的零是必需的。
（动作的进行由起始和终止端） 。
写的所有8个字节到RTC的寄存器，或一个字节传送到SR ，
或1到5个字节的控制寄存器。这个顺序
始于一个起始位，需要“ 11011110 ”奴隶字节，
内的CCR和一个地址由一个停止位结束。一
写在CCR的EEPROM寄存器将启动
非易失性写周期和最多需要20毫秒内完成。
在写RTC寄存器（ SRAM ）将需要多少
更短的周期时间（t = T
BUF
） 。写入未定义的地区已
没有影响。该RWEL位通过完成写的复位
到CCR的，因此该序列必须被再次重复，以
启动另一个变化CCR的内容。如果序列
并不以任何理由完成（通过发送一个不正确的
比特数或发送的停止一启动，而不是为
比如） RWEL位不复位器件遗体
在活跃模式。写全零状态寄存器
重置了WEL和RWEL位。读操作
如前面任何一个操作之间出现的不
中断寄存器的写操作。
BSW ：功率控制比特
的电源控制位， BSW ，确定的条件
V之间的切换
DD
和备用电池。有两种
选项：
选项1.标准：设置“ BSW = 0 ” （默认为ISL12027A ）
选项2.传统/默认模式：设置“ BSW = 1 ” （默认值
为ISL12027 ）
请参阅第15页上的“电源控制操作”的更多细节。
另请参阅“我
2
I2C通信在电池备份
LVR操作“第24页中的重要细节上。
VTS2 ， VTS1 ， VTS0 ： V
RESET
选位
ISL12027在出厂时默认的V
DD
门槛
(V
RESET
）每2页“订购信息”表中。
该寄存器是一个非易失性无保护，因此
任何写入到这个位置可以更改的默认值。
即在包装上标注。如果不与非变
性写，这个值不会超过正常变化
操作和储存条件。然而， ISL12027具有
四（4）附加的可选择的水平，以适应客户的
应用程序。级别为： 4.64V （默认） ， 4.38V ， 3.09V ， 2.92V
和2.63V 。在V
RESET
选择是通过3位（ VTS2 ， VTS1
和VTS0 ） 。见表5 。
护理应改变V时，应采取
RESET
选择位。
如果在V
RESET
电压选择比V高
DD
，则
器件将进入复位除非V
DD
增加，则
设备将不再能够使用I通信
2
C
总线。
报警操作
由于报警工程作为报警之间的比较
寄存器和RTC寄存器，它是理想的，用于通知主机
一个特定的时间事件的处理器，并触发某些动作如
的结果。主机可以通过查询状态寄存器通知
（ SR ）报警位。这两种挥发性位（ AL1为报警1和
AL0的报警0 ） ，表示如果有报警发生。该AL1
和AL0位在状态寄存器由下降沿复位
状态的8个时钟寄存器读取。
FN8232.8
2010年8月12日
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