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LTC3707-SYNC
FUCTIONAL框图
PLLIN
F
IN
50k
PLLFLTR
R
LP
C
LP
CLK1
振荡器
CLK2
–
+
PGOOD
V
OSENSE1
–
+
–
+
V
OSENSE2
–
V
美国证券交易委员会
0.18μA
R6
FCB
+
R5
–
FCB
3V
4.5V
–
+
BINH
0.86V
4(V
FB
)
坡
COMP
V
REF
45k
+
0.74V
I1
+
–
–
+
I2
INTV
CC
+
30K SENSE
–
30K SENSE
PHASE DET
两份，第二
控制器通道
BOOST
INTV
CC
D
B
V
IN
降
OUT
DET
0.86V
S
R
Q
Q
顶部
BOT
FCB
TG
C
B
D
1
+
C
IN
本日热门
开关
逻辑
BOT
INTV
CC
SW
BG
保护地
0.74V
0.86V
0.55V
+
–
B
SHDN
C
OUT
+
R
SENSE
V
OUT
–
++
3mV
–
D
美国证券交易委员会
45k
2.4V
–
EA
+
OV
+
–
0.86V
I
TH
SHDN
RST
4(V
FB
)
3.3V
OUT
+
–
0.8V
V
FB
0.80V
V
OSENSE
R2
R1
V
IN
V
IN
4.8V
EXTV
CC
+
–
5V
LDO
REG
1.2μA
C
C
+
5V
INTV
CC
6V
RUN
软
开始
RUN / SS
C
C2
R
C
SGND
国内
供应
C
SS
3707 FD / F02
图2
手术
主控制回路
（参见原理图）
该IC采用恒定频率，电流模式降压型
建筑与两个控制器通道运行
180度的相位差。在正常操作中，每个
高端MOSFET导通时，时钟为该信道
对RS锁存器，并关闭时，主电流
比较， I1 ，复位RS锁存器。峰值电感
目前在该I1复位RS锁存器由控制
电压在I
TH
销，这是每个错误的输出
扩增fi er EA 。在V
OSENSE
引脚接收到的电压反馈
信号，该信号相对于内部基准电压
由EA 。当负载电流增加时，它会导致一
在V略有下降
OSENSE
相对于0.8V基准，
这又导致了我
TH
电压增加，直到
平均电感电流相匹配的新的负载电流。
后高端MOSFET已关断时，下面的MOSFET
被导通，直到电感电流开始
反向，通过电流比较I2所示，或
开始下一个循环的。
高端MOSFET驱动器是由浮动自举偏置
电容C
B
，一般是每过充电时
循环通过外部二极管上时， MOSFET
3707sfa
+
C
美国证券交易委员会
9
