动力F- MOS场效应管
2SK2495
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证
q
高速开关
q
无二次击穿
10.0±0.3
1.5±0.1
单位：mm
8.5±0.2
6.0±0.5
3.4±0.3
1.0±0.1
s
应用
q
高速开关（开关电源）
q
用于高频功率放大
1.5max.
10.5min.
1.1max.
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
250
±30
±2
±4
10
30
1.3
150
55
+150
单位
V
2.0
0.8±0.1
0.5max.
2.54±0.3
5.08±0.5
V
A
A
mJ
W
°C
°C
1
2
3
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
N型套餐
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 5mH ，我
L
= 2A ，V
DD
= 30V ， 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS （ ON）
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D（上）
t
r
t
f
t
D（关闭）
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
V
DD
= 200V ，我
D
= 2A
V
GS
= 10V ，R
L
= 100
条件
V
DS
= 200V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
DS
= 25V ，我
D
= 1A
I
DR
= 2A ，V
GS
= 0
220
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
60
20
10
20
45
90
4.17
96.2
0.5
250
1
1.2
1
1.6
5
2
民
典型值
最大
100
±1
单位
A
A
V
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
输入电容（共源）C
国际空间站
输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
RSS
开启时间（延迟时间）
上升时间
下降时间
关断时间（延迟时间）
通道与外壳之间的热阻
通道与大气之间的热电阻
1
