位置：首页 > IC型号导航 > 首字符W型号页 > 首字符W的型号第37页 > W78E054B40DL > W78E054B40DL PDF资料 > W78E054B40DL PDF资料1第11页
W78E54B/W78E054B
6.5时钟
在W78E54B被设计为使用晶体振荡器或外部时钟使用。在内部，
时钟被分成两部分在使用前。这使得W78E54B相对不敏感的职责
周期变化的时钟。在W78E54B包含一个内置的晶体振荡器。使
振荡器工作，晶体必须在引脚XTAL1和XTAL2连接。另外，一个负载
电容必须从每个引脚与地相连。外部时钟源应连接
引脚XTAL1 。管脚XTAL2悬空。 XTAL1上的输入是CMOS型输入，如
由晶体振荡器必需的。
6.6电源管理
空闲模式
空闲模式通过将PCON寄存器中的IDL位输入。在空闲模式下，内部
时钟处理器停止。外设和中断逻辑继续工作。该
当有中断或复位发生时，处理器退出空闲模式。
掉电模式
当PCON寄存器的PD位被置位，处理器进入掉电模式。在这
模式下，所有的时钟都停止，包括振荡器。退出掉电模式的唯一方法是
通过复位。
6.7 RESET
外部复位信号进行采样， S5P2 。生效，必须将其保持为高至少两
机器周期，而振荡器运行。内部触发电路中的复位线被用来
尖峰脉冲复位线时W78E54B应用一个外部RC网络。复位逻辑还
有忽略小问题上的复位线一个特殊的毛刺去除电路。
在复位期间，端口地址被初始化为FFH ，堆栈指针为07H ， PCON （除位
4 ）为00H ，和所有其他的SFR寄存器除SBUF为00H 。 SBUF不被复位。
7.片内Flash EPROM特性
该W78E54B有几种模式进行编程的片上闪存中。所有这些操作都
由销RST配置，ALE，
PSEN
， A9CTRL （ P3.0 ） ， A13CTRL （ P3.1 ） ， A14CTRL （ P3.2 ） ，
OECTRL(P3.3),
CE
(P3.6),
OE
（ P3.7 ） ， A0 （ P1.0 ）和V
PP
(
EA
） 。此外， A15 -A0 （ P2.7 - P2.0 ，
P1.7 - P1.0 ）和D7-D0 （ P0.7 - P0.0 ）分别用作地址和数据总线，用于这些
操作。
7.1读操作
支持此操作为用户阅读他们的代码和安全位。该数据将不
有效的，如果锁定位被编程为低。
7.2输出禁止条件
当
OE
被设置为高时，没有数据输出显示在D7..D0 。
7.3程序操作
- 11 -
出版日期： 2006年8月14日
修订A6
