新产品
V10150C ， VF10150C ， VB10150C & VI10150C
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.63 V ，在我
F
= 3 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF
245 ° C（用于TO- 263AB封装）最大峰值
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ， ITO - 220AB
和TO- 262AA封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
TO-262AA
K
2
V10150C
销1
3脚
3
1
VF10150C
销1
3脚
销2
2
3
1
销2
例
TO-263AB
K
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
1
2
3
2
1
VB10150C
销1
销2
K
散热器
销1
3脚
VI10150C
销2
K
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和
TO-262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 5 A
T
J
马克斯。
2x5A
150 V
60 A
0.69 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V10150C
VF10150C
10
5
60
1500
- 55至+ 150
VB10150C
VI10150C
单位
V
A
A
V
°C
150
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
文档编号： 89068
修订： 19 08年5月
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