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VCUT0714A-HD1
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
25
100 %
80
%
V
R
(V)
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
0%
0
20548
8 s
到100％
20
引脚2比1
15
I
PPM
10
针1 2
5
10
20
30
40
20577
0
0.01
0.1
1
时间（μs ）
10
I
R
(A)
100 1000 10000
图1. 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图4.典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80
%
60 %
53 %
35
30
25
V
C
引脚2比1
放电电流I
ESD
V
C
(V)
20
15
针1 2
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
测得的累计。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
时间（纳秒）
20578
I
PP
(A)
图2. ESD放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图5.典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
9
8
7
6
F = 1 MHz的
针1 2
80
70
60
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
C
D
（PF ）
5
引脚2比1
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
C- ESD
(V)
50
40
30
20
10
0
- 10
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70
80
90
针1 2
20576
V
R
(V)
图3.典型电容C
D
与
反向电压V
R
20579
T（ NS ）
图6.典型钳位性能，在+ 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
文档编号81801
1.0版， 22 -NOV- 07
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