辐射特性
预辐照
IRHLG7970Z4 ， 2N7628M1
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 39封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性对于每一个P沟道器件@Tj = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 39 ）
静态漏 - 源极导通状态
电阻（ MO- 036 ）
二极管的正向电压
高达300K拉德（SI ）
1
民
-60
-1.0
—
—
—
—
—
—
最大
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V
V
GS
= 10V
V
DS
= -48V, V
GS
= 0V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.45A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.45A
V
GS
= 0V时，我
D
= -0.71A
—
-2.0
-100
100
-1.0
1.20
1.25
-5.0
1.部件号IRHLG7970Z4 ， IRHLG7930Z4
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.典型的单粒子效应安全工作区（每个芯片）
离子
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
Br
I
Au
37
60
84
2
能量范围
（兆电子伏）
305
370
390
(m)
39
34
30
0V
-60
-60
-60
2V
-60
-60
-60
4V
-60
-60
-60
5V
-60
-60
-60
VDS （ V）
@ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS =
6V
-60
-60
-
7V
-50
-20
-
8V
-35
-
-
10V
-25
-
-
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
1
2
3
4
5
VGS
6
7
8
9 10
Br
I
Au
所示的。
典型的单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
VDS
3
