½电压，½功耗，
±1%
高精度电压检测
CMOS
电压检测器
牧师C09-09
VDA
系列
电子规格
(Ta=25°C除非另有注明)
项目
工½电压范围
符号
V
IN
V
DET
检测电压
V
DET
滯後现象范围
V
HYS
V
IN
=0.7V
V
IN
=1.0V
N沟道
V
DS
=0.5V
输出电流
I
OUT
V
IN
=4.0V
V
IN
=5.0V
CMOS P沟道
V
DS
=2.1V
CMOS N沟道
V
DS
=2.1V
V
IN
=6.0V
V
IN
=6.0V
V
IN
=1.5V
V
IN
=2.0V
电流功耗
I
SS
V
IN
=3.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=5.0V
流失电流
I
泄漏
V
DET
/
ΔTA V
DET
T
DLY
V
IN
=6.0V V
OUT
=6.0V
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
TA = -40°C - + 85°C
V
DET
= 0.8V ~ 1.7V
TA = -40°C - + 85°C
从V反转
DR
到V
OUT
6.0
7.0
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12.8
13.8
-9.5
9.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
±20
±100
0.03
-
-
-1.5
-
2.1
2.5
2.8
3.0
3.4
100
-
-
0.2
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
nA
PPM /°C的
1
PPM /°C的
ms
5
3
2
4
3
V
IN
=2.0V
V
IN
=3.0V
条件
V
DET
= 0.8V ~ 6.0V
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
TA = -40°C - + 85°C
V
DET
= 0.8V ~ 1.7V
TA = -40°C - + 85°C
最½
0.7
V
DET
×0.99
V
DET
×0.98
V
DET
×0.02
0.1
1.0
3.0
5.0
一般
-
V
DET
V
DET
V
DET
×0.05
0.35
2.3
8.2
11.1
最高
6.0
V
DET
×1.01
V
DET
×1.02
V
DET
×0.08
-
-
-
-
单½
V
V
1
V
V
mA
mA
mA
3
mA
1
测试
电路
1
电压检测温度特征
延迟时间
V
DR
→V
OUT
逆温
5
..........模拟世界的未来
ANASEM INC 。
