新产品

V30100SG ， VF30100SG ， VB30100SG & VI30100SG

威世通用半导体

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

击穿电压

测试条件

I

R

= 10毫安

I

F

= 5 A

I

F

= 10 A

I

F

= 30 A

I

F

= 5 A

I

F

= 10 A

I

F

= 30 A

V

R

= 70 V

反向电流

(2)

V

R

= 100 V

注意事项：

（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比

（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

40毫秒

T

A

= 25 °C

T

A

= 25 °C

V

F

T

A

= 125 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 125 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 125 °C

符号

V

BR

典型值。

105 （最低）

0.50

0.60

0.92

0.44

0.55

0.76

8.8

6.5

I

R

43

18

马克斯。

-

-

-

1.00

V

-

-

0.83

-

-

350

35

A

mA

A

mA

单位

V

正向电压

(1)

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

每腿典型热阻

符号

R

θJC

V30100SG

2.0

VF30100SG

3.0

VB30100SG

2.0

VI30100SG

2.0

单位

° C / W

订购信息

（例）

包

TO-220AB

ITO-220AB

TO-263AB

TO-263AB

TO-262AA

首选的P / N

V30100SG-E3/4W

VF30100SG-E3/4W

VB30100SG-E3/4W

VB30100SG-E3/8W

VI30100SG-E3/4W

单位重量（g ）

1.88

1.74

1.37

1.37

1.45

封装代码

4W

4W

4W

8W

4W

基地数量

50/tube

50/tube

50/tube

800/reel

50/tube

配送方式

管

管

管

磁带和卷轴

管

额定值和特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

35

负载电阻或电感

32

D = 0.5

V(B,I)30100SG

28

D = 0.3

D = 0.2

D = 0.1

D = 1.0

D = 0.8

平均正向电流（ A）

30

25

20

15

10

5

0

0

25

50

75

100

VF30100SG

平均功耗（ W）

24

20

16

12

8

4

0

T

D =吨

p

/T

0

4

8

12

16

20

24

28

t

p

32

36

125

150

外壳温度（ ° C）

平均正向电流（ A）

图1.正向电流降额曲线

图2.正向功率损耗特性

www.vishay.com

2

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com

文档编号： 88996

修订： 31 -JUL- 08