飞利浦半导体
产品speci fi cation
双64位静态移位寄存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
7 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
28 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
70 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
HEF4517B
LSI
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
CP
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换
时
前高后低
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
60
30
20
60
30
20
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10
15
t
PLH
t
PHL
220
85
60
190
75
50
440
170
120
380
150
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
193纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
74纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
52纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
163纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
64纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
42纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
1995年1月
6
