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新产品
V20100S , VF20100S , VB20100S & VI20100S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 10毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 70 V
V
R
= 100 V
注意事项:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
BR
典型值。
105 (最低)
0.51
0.60
0.79
0.45
0.53
0.69
17
7
70
14
马克斯。
-
-
-
0.90
-
-
0.76
-
-
500
30
单位
V
正向电压
(1)
V
反向电流
(2)
I
R
A
mA
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
符号
R
θJC
V20100S
2.0
VF20100S
4.0
VB20100S
2.0
VI20100S
2.0
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V20100S-E3/4W
VF20100S-E3/4W
VB20100S-E3/4W
VB20100S-E3/8W
VI20100S-E3/4W
单位重量(g )
1.88
1.75
1.37
1.37
1.45
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
24
负载电阻或电感
VB20100S
20
18
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
平均正向电流( A)
20
平均功耗( W)
V20100S
VI20100S
VF20100S
16
14
12
10
8
6
4
2
D =吨
p
/T
t
p
T
D = 0.1
D = 0.2
D = 1.0
16
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
4
8
12
16
20
24
外壳温度( ° C)
平均正向电流( A)
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性
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2
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文档编号: 88975
修订: 31 -JUL- 08

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