VN50300L/VN50300T
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 10
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
T
J
= 125_C
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
I
DSS
I
D（上）
T
J
= 125_C
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10毫安
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 5毫安
T
J
= 125_C
正向跨导
b
共源输出电导
b
g
fs
g
os
V
DS
= 15 V，I
D
= 10毫安
5
15
30
250
240
450
14
0.005
mS
700
300
W
500
1
520
3.5
4.5
"100
"500
0.05
5
mA
m
mA
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
5
1.7
0.5
20
10
5
pF
开关
c
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= 25 V ，R
L
= 2.5千瓦
I
D
^
10毫安，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
4.5
7
8
60
8
12
ns
20
90
VNDO50
打开-O FF时间
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70216
S- 04279 -REV 。 D， 16 -JUL- 01
