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VNN7NV04 , VNS7NV04
VND7NV04 , VND7NV04-1
OMNIFET II
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
特点
TYPE
VNN7NV04
VNS7NV04
VND7NV04
VND7NV04-1
R
DS ( ON)
I
LIM
V
2
60 mΩ
6A
40 V
SOT-223
1
2
3
SO-8
线性电流限制
热关断
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
通过输入引脚诊断反馈
ESD保护
直接进入电源的门
MOSFET (模拟驾驶)
兼容标准功率MOSFET
符合2002/95 / EC欧洲
指示
3
1
1
3
2
TO252 ( DPAK )
TO251 ( IPAK )
描述
该VNN7NV04 , VNS7NV04 , VND7NV04
VND7NV04-1 ,是单片器件中的设计
意法半导体的VIPower M0-3技术,
用于替换标准的电源
从直流的MOSFET高达50千赫的应用程序。
内置热关断,线性电流限制
和过压钳位保护在恶劣的芯片
环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
表1中。
设备简介
订购代码
管(无铅)
-
-
VND7NV04-E
VND7NV04-1-E
磁带和卷轴
VNN7NV0413TR
VNS7NV0413TR
VND7NV0413TR
-
磁带和卷轴(无铅)
-
-
VND7NV04TR-E
-
SOT-223
SO-8
TO-252
TO-251
VNN7NV04
VNS7NV04
VND7NV04
VND7NV04-1
2009年4月
文档编号7383第2版
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www.st.com
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