动力F- MOS场效应管
2SK2660
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
高速开关
q
高的漏 - 源电压
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
单位：mm
2.3±0.1
0.5±0.1
s
应用
7.3±0.1
1.8±0.1
q
高速开关
2.5±0.1
0.8max
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
DC
脉冲
T
C
= 25°C
TA = 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
评级
200
±30
±4
±8
10
1
150
55
+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
0.93±0.1
1.0±0.1
0.1±0.05
0.5±0.1
0.75±0.1
2.3±0.1
4.6±0.1
1
2
3
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
U型套餐
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS （ ON）
| Y
fs
|
C
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
R
L
= 50, V
DD
= 100V
条件
V
DS
= 160V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 25V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
V
DS
= 25V ，我
D
= 2A ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
0.5
200
1
0.8
1
290
50
9
10
25
45
40
5
1.1
民
典型值
最大
0.1
±1
单位
mA
A
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
输入电容（共源）C
国际空间站
输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
RSS
开启时间（延迟时间）
上升时间
关断时间（延迟时间）
下降时间
1.0±0.2
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
1
