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嵌入式功率为
关键业务连续性
特定网络阳离子
信号电接口
特点 - 信号名称
ENABLE - 上
启用 - 关闭
PWRGD - 高
PWRGD - 低
PWRGD - 低门槛
PWRGD - 开启回应
启用走高
VID - 高
VID - 低
OVP1 （见注7 ）
OVP2 （见注7 ）
OVP驱动电压
SMBus的地址高
SMBus的低地址
SMBus数据高
SMBus数据低
电磁兼容性
特点 - 信号名称
ESD - 间接空冷
ESD - 间接接触
输入特性：
输入电流 - 工作
输入电容 - 外部旁路
笔记
1
2
3
推荐输出电容， 48 ×22 μF的陶瓷MLCC 。
50 mV的峰峰值纹波。 VIN = 12 V ，输出电压= 1.5 V， IOUT = 80 A.
使用建议的电容（见注1 ）在输出时，
输出电压保持负载调节窗口的所有负载范围内和
瞬态事件，多达80 A.它也将允许瞬时VID -上的即时
高达500 mV的80 A.变化
VRM64采用了五相降压拓扑结构。每相开关在
830千赫。这给出的4.2兆赫的等效开关频率
最大电流需要足够的强制空气通过转换器。请
请教图1为热降额。
当VRM检测到输出过压事件， OVP引脚
转变为逻辑高电平。这个信号可以用来供应关机
VRM的，或驱动外部消弧器件。
Rev.07.20.07
VRM系列
4 7
符号
启用
（上）
启用
（关闭）
V
PWRGD （高）
V
PWRGD （低）
民
1.7
-0.3
1.7
-0.3
典型值
最大
5.5
0.8
单位
V
V
V
注意事项和条件
没有提供上拉电阻
由VRM
没有提供上拉电阻
由VRM
没有提供上拉电阻
由VRM
集电极开路输出，以不
比5.5 V ，最大电流5毫安
下面VID设置
对于波形，请参阅应用
需要注意185
0.8
150
V
mV
T
上升
V
伊和（VID）
V
金正日（ VID ）
2
1.7
-0.3
2.5
10
5.5
0.8
ms
V
V
V
%
V
V
2.2
133
CB
Out
添加
_x （高）
添加
_x （低）
SM
DA （高）
SM
DA_x （低）
3.8
-0.3
2.1
-0.3
0.7
5.5
0.8
4
默认设置为旅途。在OVP1或
OVP2以较小者为准
VID设置
V
V
V
符号
民
典型值
最大
15
8
单位
kV
kV
注意事项和条件
EN61000-4-2
在最终用户设备
EN61000-4-2
在最终用户设备
V
in
= V
in
（ TYP。） ，
I
OUT （续）
= 80 A， VID = 1.5 V
I
IN
C
INEXT
12
1600
7
A
μF
4
5
6
这些是默认设置。电流限制可被设置为'跳闸'或
“打嗝” 。输出过压限制，输入过压和欠压
设置，输出下垂和偏移，限流设定点，许多
其他人可以通过组件的变化而改变。请咨询厂家
了解详细信息。
8 0.01 G
2
/频率从5Hz至20Hz ，保持为0.02g
2
/频率从20赫兹到500
赫兹，所有轴。
9按照AMD的要求， PWRGD将变为高至少2毫秒
在VDD在规定范围内落户。
10 'Y'后缀表示，这些部件是谢符合RoHS 5/6 （非无铅）
兼容的。无铅（符合RoHS 6/6 ）兼容的版本可能适用于特殊
要求，请联系您当地的销售代表了解详情。
11注意：有些机型不支持的所有选项。请联系您当地的
腾讯代表或者在上线型号搜索工具
http://www.artesyn.com/powergroup/products.htm找到一个合适的
替代方案。
