三菱N沟道功率MOSFET
FS70VSJ-06
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
1.0
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
10.0
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
(m)
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 4V
0.8
8.0
0.6
I
D
= 100A
6.0
10V
0.4
70A
4.0
0.2
30A
2.0
0
0
0
2
4
6
8
10
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏电流I
D
(A)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
100
T
C
= 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
10
2
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
T
C
= 25°C
75°C
125°C
漏电流I
D
(A)
80
3
2
10
1
7
5
3
2
V
DS
= 10V
脉冲测试
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
10
0 0
10
2 3
5 7 10
1
2 3
5 7 10
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
2
10
5
7
5
3
2
10
4
7
5
3
2
西塞
TCH = 25°C
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
开关特性
（典型值）
10
3
7
5
切换时间（纳秒）
t
D（关闭）
t
f
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 0
10
2 3
5 7 10
1
t
r
t
D（上）
TCH = 25°C
V
DD
= 30V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
科斯
10
3
7
5
3
2
CRSS
3 5 710
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
2 3
5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
