订购数量： ENA1234
6LP04CH
三洋半导体
数据表
P沟道MOSFET硅
6LP04CH
特点
通用开关设备
应用
1.5V驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
2
0.8mm)
条件
评级
--60
±10
--100
--400
0.6
150
--55到150
单位
V
V
mA
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = -
-1mA ， VGS = 0V
VDS = -
-60V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = -
-10V ， ID = - 100μA
VDS = -
-10V ， ID = - 50毫安
ID = -
-50mA ， VGS = -
-4V
ID = -
-30mA ， VGS = -
-2.5V
ID = -
-10mA ， VGS = -
-1.5V
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
--0.4
130
220
6.5
7.4
10
15
3.5
1.0
8.5
11
20
评级
民
--60
--1
±10
--1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
标记： YW
接下页。
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