DG535/536
Vishay Siliconix公司
详细说明
由于信号路径和V +之间存在没有PN结，
正的过电压是不成问题的，除非
该DMOS漏极端子的击穿电压（见图
13 ） （ + 18V）超过。正过压条件
不得超过+ 18 V相对于GND引脚。如果这
条件是可能的（例如，瞬变的信号中），则
二极管或齐纳二极管钳位，可以使用以防止击穿。
说明可能存在，如果过压条件
用品被折叠而一个信号出现在输入。
如果这种情况是不可避免的，那么必要的步骤
如上所述，应采取保护器件
DC偏置
为了避免负面的过压条件和后续
交流模拟信号的失真，直流偏置可能是必要的。
施力不是必需的，但是，在应用中
信号总是正相对于GND或
基板连接，或在应用中涉及
低电平复用（高达± 200毫伏）信号，其中
该PN衬底 - 源极/漏极端子的正向偏压
将不会发生。
偏置可以以多种方式中，来实现
最简单的是一个电阻分压器和几个直流
隔直电容，如图14 。
类似物
信号
IN
S
V+
类似物
信号
OUT
另一种方法是，以抵消电源电压（见
图15）。
脱钩必须被施加到负电源
以确保该基板以及参考信号
地面上。同样的电容应该是一个类型的产品
良好的高频特性。
逻辑信号的电平转换可以使用必要
这个偏移量供应安排。
+ 12 V
DG536
GND
D
脱钩
电容器
+
-3V
图15. DG536与偏置电源
TTL到CMOS电平转换很容易通过使用获得的
MC14504B.
电路布局
良好的电路板布局和丰富的屏蔽是必不可少的
用于优化DG536的高频性能。
在PC主板和/或连接线的寄生电容
将大大降低AC性能。因此，信号
路径必须尽可能的短，实际可能与
广泛地平面分离信号的轨道。
+ 15 V
类似物
信号
IN
C
1
+
R
1
S
R
2
V+
+
C
2
D
类似物
信号
OUT
100 μF / 16 V
钽
DG536
GND
100 μF / 16 V
钽
图14.简单的偏置电路
R
1
和R
2
被选择，以适应相应的偏置
要求。对于视频应用中，大约为3 V
偏压所需的最佳的微分增益和相位
性能。电容C
1
块从所述直流偏置电压
耦合回模拟信号源和C
2
块从所述输出信号中的直流偏置。使用C
1
和C
2
应该是为了钽电容或陶瓷圆盘型电容器
在高频率下有效地进行操作。有源偏置电路
如果信道之间的快速切换时间，建议
是必须的。
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70070 。
文档编号： 70070
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
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