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DRAM
奥斯汀半导体公司
AS4LC4M16
EDO -PAGE -MODE早期阅读写周期
（伪读 - 修改 - 写）
注意事项：
* t
RASP
（MAX）= 80,000ns在XT温度版本。
AS4LC4M16
1.1修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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深圳市碧威特网络技术有限公司
