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CY62167EV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[14, 15]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[18]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[16, 17]
我们前高后低-Z
[16]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[16]
描述
45纳秒（工业/自动-A ）
民
45
45
10
45
22
5
18
10
18
0
45
45
10
18
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
OE高到高Z
[16, 17]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[16]
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[16, 17]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[16]
BLE / BHE高到高阻态
[16, 17]
笔记
14.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1 V / ns的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC
（典型值） / 2 ， 0输入脉冲电平
到V
CC
（典型值） ，输出负载指定我的
OL
/I
OH
如图
“交流测试负载和波形”第4页。
15. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
16.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
17. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
18.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和BLE或两者= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动发起
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须是指在终止写入的信号的边沿。
文件编号： 38-05446牧师* F
第14页5
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