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CAT28LV65
页写
该CAT28LV65的页写模式（本质上是一个
扩展字节写模式）可以从1到32个字节
数据可以在一个单一EEPROM写程序
周期。这有效地通过减少字节写入时间
因素32 。
在最初写操作（WE低脉冲，
对于T
WP
，再高点）页写模式，可以开始
发行顺序WE脉冲，加载地址并
数据字节到32字节的临时缓冲器。页面地址
其中的数据是要被写入，指定由位甲
5
到A
12
，是
锁存WE的最后一个下降沿。内的每个字节
页面地址位A中定义
0
到A
4
（可装入
地址
t
AS
CE
t
AH
t
CW
在过程中，第一和随后的写周期的任何顺序）。
每个连续的字节负载循环，必须在吨开始
BLC MAX
的前述WE脉冲的上升沿。没有
页写的窗口限制，只要我们是脉冲低
T内
BLC MAX
.
在页写操作完成后，我们必须
居高不下的最小的t
BLC MAX
为内部自动
计划周期开始。这种编程周期
由一个擦除周期，这会清除存在的任何数据
在每个处理单元，和一个写周期，该写新
数据返回到细胞中。页写，只会将数据写入
即得到解决，不会重写的位置
整个页面。
t
WC
t
BLC
t
OEH
OE
t
CS
WE
t
RB
高-Z
RDY / BUSY
数据输出
高-Z
高-Z
t
OES
t
CH
DATA IN
数据有效
t
DS
t
DH
图6.字节写周期[CE控制]
OE
CE
t
WP
WE
t
BLC
地址
t
WC
I / O
BYTE 0
1个字节
2字节
字节n
字节n + 1
最后字节
字节n + 2
图7.页面模式写周期
http://onsemi.com
7
