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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW5IC970N
第2版， 4/2008
RF LDMOS宽带2 - 舞台
功率放大器
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划从132 MHz到960 MHz的。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。这些设备有一个2 - 阶段
设计关 - 芯片匹配的输入，级间和输出网络
覆盖期望的频带。
典型性能： 800兆赫， 28伏，我
DQ1
= 80 mA时，
I
DQ2
= 650毫安，P
OUT
= 70瓦特PEP
功率增益 - 30分贝
漏极效率 - 48 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 850兆赫， 70瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成的静态电流温度补偿
启用/禁用功能
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW5IC970NBR1
MW5IC970GNBR1
800 - 900兆赫， 70 W， 28 V
RF LDMOS WIDEBAND
2 - 一级功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW5IC970NBR1
CASE 1329A - 04
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MW5IC970GNBR1
V
RD2
V
RG2
/V
GS2
静态电流
温度补偿
(1)
V
RG1
/V
GS1
GND
V
RD2
V
RG2
/V
GS2
V
RG1
/V
GS1
RF
in1
GND
V
D2
/ RF
out2
V
RD1
V
D1
/ RF
out1
V
D1
/ RF
out1
RF
in2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
V
D2/
RF
out2
RF
in1
V
RD1
V
D1
/ RF
out1
V
D1
/ RF
out1
RF
in2
13
12
NC
GND
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 ，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年， 2008年。保留所有权利。
MW5IC970NBR1 MW5IC970GNBR1
1
RF设备数据
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