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1兆位的SPI串行闪存
SST25VF010
数据表
扇区擦除
扇区擦除指令清除所选的所有4位
KB扇区为FFH 。一个扇区擦除指令适用于
受保护的存储器区域将被忽略。在此之前的任何写
操作时，写使能（ WREN）指令必须是
执行。 CE＃必须保持有效低电平的持续时间
在任何命令序列。扇区擦除指令
通过执行一个8位的命令，20H开始，接着
地址位[A
23
-A
0
] 。地址位[A
MS
-A
12
]
(A
MS
=最高有效地址）被用来确定
扇区地址（SA
X
） ，其余的地址位可以是V
IL
or
V
IH 。
CE＃必须驱动为高电平之前的指令是exe-
cuted 。用户可以轮询软件状态的忙位
注册或等待牛逼
SE
为完成内部的自我
定时扇区擦除周期。参见图7为在扇区
擦除序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31
SCK
模式0
SI
最高位
20
添加。
最高位
添加。
添加。
SO
高阻抗
1233 F07.1
图7 ：
埃克特
-E
RASE
S
EQUENCE
块擦除
块擦除指令会将所选32位的所有
K字节块为FFH 。 A座擦除指令适用于
受保护的存储器区域将被忽略。在此之前的任何写
操作时，写使能（ WREN）指令必须是
执行。 CE＃必须保持有效低电平的持续时间
任何命令序列。块擦除指令
通过执行一个8位的命令启动， 52H ，其次是
地址位[A
23
-A
0
] 。地址位[A
MS
-A
15
] (A
MS
=最
显著地址）被用来确定块地址
（ BA
X
） ，其余的地址位可以是V
IL
或V
IH
。 CE ＃必须
驱动为高电平的指令执行前。用户
可以轮询软件状态寄存器的忙位，或等待
T
BE
为完成内部自定时块擦除的
擦除周期。参见图8的块擦除序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31
SCK
模式0
SI
最高位
52
添加。
最高位
添加。
添加。
SO
高阻抗
1233 F08.1
图8 ： B
LOCK
-E
RASE
S
EQUENCE
2003硅存储技术公司
S71233-01-000
8/03
10
