数据表
HAL 815
4.3 。温度补偿
的温度系数之间的关系
磁体和相应的TC和TCSQ的
对于线性补偿代码中给出了下面的
表。除了磁性的线性变化
场与温度，曲率可以调节
为好。为了这个目的，其它的TC和TCSQ combi-
是必需的国家中未表示。
请联系Micronas公司的更详细信息
在这个高阶温度补偿。
该HAL805 ， HAL810 ， HAL815和包含相同
温度补偿电路。如果一个最佳的设定
鼎为HAL805 / HAL810已经可用，
可用于HAL815相同的设置。
4.应用说明
4.1 。应用电路
对于EMC保护，建议连接一个
陶瓷4.7 nF的每个地之间的电容
供电电压，分别输出电压引脚。
此外，控制器单元的输入应
用一个4.7千欧电阻器和陶瓷被拉断
4.7 nF的电容。
请注意，在编程期间，该传感器将
可以用编程电压反复地供应
12.5 V为100毫秒。连接到所有部件
V
DD
此时线路必须能够抵抗这种电压。
V
DD
温度
对COEF网络cient
磁铁（ ppm的/ K）的
OUT
HAL815
4.7 nF的
4.7 nF的
GND
4.7 nF的
4.7 kΩ
μC
TC
TCSQ
400
300
200
100
0
31
28
24
21
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
6
7
8
9
10
10
11
11
11
12
12
12
13
13
13
13
14
14
14
14
15
15
图。 4-1 ：
推荐应用电路
4.2 。在并行使用两个HAL815
这是在操作两个不同的传感器HAL815
平行于同一电源和接地线可以是
单独编程。为了选择该集成电路
应编程，既霍尔IC inacti-
在共用氧基团的“停用”命令
供应线。然后，相应的集成电路是由活化的
“激活”脉冲在其输出端。只有激活森
处理器将计划作出反应，所有后续的读，写，
命令。如果所述第二集成电路必须被编程，
在“停用”命令再次发出，而仲
OND集成电路可以被选择。
50
90
130
170
200
240
280
320
360
V
DD
OUT A &选择A
410
450
500
550
600
10 nF的
HAL 815
传感器A
4.7 nF的
HAL 815
传感器B
OUT B &选择B
4.7 nF的
GND
650
700
750
图。 4-2 ：
两个HAL815并联运行
MICRONAS
2006年2月7日; 6251-537-3DS
23
