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晶体管
2SB0790
(2SB790)
PNP硅外延平面型
对于低频输出放大
补充2SD0969 （ 2SD969 ）
6.9±0.1
2.5±0.1
1.0
1.0
2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1
单位：mm
I
特点
G
G
1.5
0.4
1.5 R0.9
R0.9
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
1.0±0.1
R
0.
7
0.85
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
–25
–20
–7
–1
– 0.5
600
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
2.5
2.5
3
2
1
EIAJ ： SC- 71
M型模具包
I
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -25V ，我
E
= 0
V
CE
= -20V ，我
B
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -1mA ，我
B
= 0
I
C
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= –0.5A
*2
V
CE
= -2V ，我
C
= –1A
*2
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
*2
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
*2
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
150
15
*2
民
典型值
1.25±0.05
I
绝对最大额定值
(Ta=25C)
0.55±0.1
0.45±0.05
最大
–100
–1
–25
–20
–7
90
25
– 0.4
–1.2
220
4.1±0.2
4.5±0.1
单位
nA
A
V
V
V
V
V
兆赫
25
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
Q
90 ~ 155
R
130 ~ 220
秩
h
FE1
注）括号中的部分数字显示传统的零件编号。
1
