MX25U4035
MX25U8035
4M- BIT [ ×1 / ×2 / ×4 ] 1.8V的CMOS串行闪存
8M - BIT [ ×1 / ×2 / ×4 ] 1.8V的CMOS串行闪存
特点
一般
串行外设接口兼容 - 模式0和模式3
4M ： 4194304 ×1位的结构或2097152 ×2比特（ 2的I / O读出模式）的结构或1048576 ×4位（四个I /
O读模式）结构
8M ： 8388608 ×1位的结构或4194304 ×2比特（ 2的I / O读出模式）的结构或2097152 ×4位（四个I /
O读模式）结构
等部门每4K字节，或相互或等于块32K字节块平等，每个64K字节
- 任何块都可以单独擦除
单电源工作
- 1.65 2.0伏读取，擦除和编程操作
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
性能
高性能
- 快速阅读
- 1 I / O ： 40MHz的8个伪周期（ 30pF的+ 1TTL负荷）
- 2 I / O： 40MHz的有4个虚拟周期（ 30pF的+ 1TTL负荷） ，相当于80MHz的
- 4 I / O ： 33MHz的6哑周期（ 30pF的+ 1TTL负荷） ，相当于132MHz
- 快速编程时间（最大） 2毫秒（典型值）和7毫秒/页（每页256字节）
- 字节编程时间： 30US （典型值）
- 连续程序模式（自动增加在Word程序模式地址）
- 快速擦除时间： 90毫秒（典型值） /扇区（每扇区4K字节） ; 0.8秒（典型值） /块（每块32K字节） ; 1.5秒（典型值） /块
（每块64K字节） ; 7.5S /芯片4M （典型值） ; 15S （典型值） /芯片8M
低功耗
- 低有效的读电流： 12毫安（最大值） ，在40MHz的， 6毫安（最大值） ，在25MHz的
- 低电平有效擦除/编程电流： 22毫安（最大）
- 待机电流低： 5UA （最大）
深度掉电： 5UA （最大）
典型10万次擦除/编程
- 数据保存10年
软件特点
·输入数据格式
- 1字节命令代码
高级安全功能
- 块锁保护
的BP0 - BP3状态位定义的区域的大小为软件保护程序和擦除指令
系统蒸发散
- 其他512位OTP保护的唯一标识符
自动擦除和自动编程算法
-
自动擦除，并在选定的扇区或块数据验证
-
自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据，可自动倍
程序的脉冲宽度（在任何页面来进行编程，应先有在擦除状态页）
状态寄存器功能
电子标识
-
JEDEC的1字节的制造商ID和2字节的设备ID
P / N ： PM1394
REV 。 1.0 ，三月09 ， 2009年
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