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恩智浦半导体
BTA201W E系列
1三象限三端双向可控硅整流高
10.修订历史记录
表7中。
修订历史
发布日期
20080313
数据表状态
产品数据表
变更通知
-
SUPERSEDES
BTA201W_SER_E_2
文档ID
BTA201W_SER_E_3
莫迪科幻阳离子:
第1页第1.4节“快速参考的数据” :
更新了我最小
GT
值的增加。
表3 2页上的“极限值” :
I
2
科技条件,T
p
;符号更新。
表5 “静态特性”第6页:
我最小
G
值的增加。
产品数据表
-
BTA201W_SER_E_1
这个数据表格式已重新设计,以符合新的身份
恩智浦半导体的指导方针。
法律文本已适应了新的公司名称在适当情况下。
描述性标题已得到纠正。
表3 2页上的“限制值” :DI
T
/ DT大功率的
表6 “动态特性”第7页:的dV
D
/ DT大功率的
图“断态电压结温的函数的临界上升率;
最小值“第8页:图更新
产品数据表
-
-
BTA201W_SER_E_2
莫迪科幻阳离子:
20070917
BTA201W_SER_E_1
20060207
BTA201W_SER_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年3月13日
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