恩智浦半导体
BTA201W E系列
1三象限三端双向可控硅整流高
6.静态特性
表5 。
静态特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A;看
图8
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
I
L
闭锁电流
V
D
= 12 V ;我
G
= 0.1 A;看
图10
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
FF-态电流
V
D
= 12 V ;我
G
= 0.1 A;看
图11
I
T
= 1.4 A;看
图9
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A;看
图7
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125
°C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125
°C
-
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
1.2
0.7
0.3
0.1
12
20
12
12
1.5
1.5
-
0.5
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
1
1
1
-
-
-
10
10
10
mA
mA
mA
民
典型值
最大
单位
BTA201W - 600E和BTA201W - 800E
BTA201W_SER_3
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产品数据表
牧师03 - 2008年3月13日
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