HM62W8512B系列
低V
CC
数据保持特性
（大= -20 + 70 ° C）
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR
民
2
—
—
—
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
注：1 。
2.
3.
4.
t
CDR
t
R
0
t
RC
*
6
典型值
—
0.8*
5
0.8*
5
0.8*
5
—
—
最大
—
20*
1
10*
2
2*
3
—
—
单元测试条件*
4
V
A
A
A
ns
ns
见保留波形
CS
≥
V
CC
- 0.2 V ，输入电压
≥
0 V
V
CC
= 3.0V，输入电压
≥
0 V
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
对于L -版本和10
A
（最大）在Ta = -20 + 40 ℃。
对于L -SL-版本和3
A
（最大）在Ta = -20 + 40 ℃。
对于L -UL-版本和2
A
（最大）在Ta = -20 + 40 ℃。
CS
控制地址缓冲器，
WE
缓冲液，
OE
缓冲液，以及锭缓冲器。在数据保持模式下，输入电压
水平（地址，
WE ， OE ，
I / O）可以在高阻抗状态。
5，典型值是在V
CC
= 3.0 V， TA = + 25 ° C和指定的加载，并不能保证。
6. t
RC
=读周期时间。
低V
CC
数据保留时序波形
（ CS控制）
t
CDR
V
CC
3.0 V
数据保持方式
t
R
V
DR
2.0 V
CS
0V
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
12
