24AA65/24LC65/24C65
图8-2：
缓存写入存储阵列开始页边界
1写命令所启动的在阵列中的第3页的字节0;
第一数据字节加载到高速缓存中的字节0 。
缓存页面0
缓存
BYTE 0
缓存
1个字节
缓存
7字节
缓存页面缓存1 2页
8-15字节
16-23字节
缓存第7页
56-63字节
2 64字节的数据加载到高速缓存中。
3从缓存写入到阵列是停止位开始。
页面缓存的0写入阵列的第3页。
在执行写周期的每个页面被写入之后。
第0页第1页第2页
第0页第1页第2页
BYTE 0
1个字节
在高速缓存中剩余的4页都写
在数组中连续的页面。
7字节
第4页
第4页
第7页阵行n
第7页阵行n + 1
第3页
5尾页高速缓存中写入2页下一行。
图8-3：
高速缓存写入到阵列中开始一个非页边界
1写命令启动; 64个字节的数据
加载到缓存中以0开头的页面字节2 。
缓存
1个字节
缓存
2字节
缓存
7字节
2最后2个字节加载“翻身”
要开始。
缓存第7页
56-63字节
最后2个字节
装成
高速缓冲存储器的页0 。
3
缓存
BYTE 0
缓存页面缓存1 2页
8-15字节
16-23字节
4从缓存写入到阵列是停止位开始。
在缓存5其余字节
页面缓存的0写入阵列的第3页。
在执行写周期的每个页面被写入之后。
依次写入到阵列。
第7页阵列
行n
第7页阵列
ROW
n+1
第0页第1页第2页
第0页第1页第2页
BYTE 0
1个字节
2字节
BYTE 3
第3页
4个字节
7字节
第4页
第4页
6最后3页的高速缓存写入到下一行数组。
2008 Microchip的技术公司
DS21073K第13页
